中科院那个2nm芯片的事情，我看了好几次报道，好多人问我是真是假，是不是又在“放卫星”。我这人喜欢自己动手查证，不爱听风就是雨。
我怎么看中科院2nm这事？
得说，报道里说的“2nm”和台积电或者三星做的那个芯片里的“2nm”不是一回事。咱们得把概念理清楚。行业里说的那个“nm”现在更多的是一个市场宣传的节点名字，不是真正物理上的最小线宽。比如台积电的N3E（3nm增强版），它的实际栅极长度可能还在十几纳米以上。中科院说的2nm，很可能指的是他们突破了某些特定工艺限制，达到了一个等效的或者下一代技术验证的水平。
我立马去翻了中科院微电子所的一些公开资料和他们发布的论文。重点是看他们具体做了什么。他们宣传的突破，主要是在集成电路上的一些关键技术节点。最有可能的是在光刻技术、新材料的应用或者晶体管结构上的创新。
技术突破到底在哪？
我找了一个和这个新闻关联性比较强的研究方向，就是新兴存储器和新型晶体管结构。
- 结构创新： 传统的FinFET结构在3nm以下就快到极限了，漏电严重。为了继续缩小体积，大家都在往GAA（全环绕栅极）甚至CFET（互补场效应晶体管）发展。中科院这边大概率是搞出了类似GAA的结构，或者在更前沿的垂直晶体管上有所进展。这个突破是最实在的，是缩小尺寸的关键。
- 新材料应用： 芯片做到2nm，传统的硅基材料已经不太行了，电子在里面乱跑。他们很可能在用一些新型的二维材料，比如碳纳米管或者二硫化钼，来代替部分硅材料。这些新材料的电子迁移率高，功耗低。如果真用上去了，那确实是突破。
- 光刻环节： 大家都知道EUV光刻机是卡脖子的核心。咱们虽然还没有量产EUV，但是中科院可能在多重图案化技术（Multiple Patterning）或者“软光刻”、自组装图案化技术上找到了新的路子，用更“土”的办法实现了高精度的图形转移。这个虽然绕开了EUV，但实现起来难度极高。
为什么敢这么说？
我以前在实验室见过一些做材料和结构研究的同行，他们研究成果出来的时候，都是先发个高规格的论文，证明自己在一个特定环节跑通了，能做出那个最小的结构或者实现了某个性能指标，但这距离产业化量产还有十万八千里。
重点来了：中科院或者大学院所的“突破”通常指的是“科学研究的突破”，证明了“理论可行性”和“实验室可行性”。他们证明了在理想环境下，可以制造出具有2nm特征结构的晶体管，并且能实现某些特定的电学性能。
咱们不能把这理解成“明天就能用上国产2nm手机芯片”。因为从实验室到大规模量产，中间涉及到良率、成本、设备配套、供应链整合等等一大堆问题。
我总结一下我的判断：
中科院的这个宣布，在技术层面上肯定是有实打实的进步的。这帮科学家不是吃素的，他们肯定解决了某个或者某几个尖端工艺难题。但是，这个“2nm”更像是研究成果的节点命名，目的是展示我们在超小尺寸集成电路研究上的能力，给行业打气。它代表的是我们在下一代芯片技术储备上的加速，而不是立马就能和国际大厂在消费级芯片上硬碰硬。
从头到尾，我把这个新闻当成一个技术验证成功来看待，对于我们整个芯片产业来说，这绝对是好事，至少说明我们不是在原地踏步。有了这些基础突破，未来量产应用才有希望。
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